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中國(guó)電科48所成功研制大功率金剛石MPCVD首臺(tái)樣機(jī)
來(lái)源：新聞中心
發(fā)布時(shí)間：2026年05月22日 編輯：新聞中心
近日，中國(guó)電科48所中電科三代半（湖南）公司在超寬禁帶半導(dǎo)體裝備關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域取得突破，成功研制大功率金剛石MPCVD首臺(tái)樣機(jī)。
金剛石導(dǎo)熱性能可達(dá)銅的5倍以上，是破解激光器、微波芯片、AI算力芯片、大功率電力電子模塊等關(guān)鍵器件散熱瓶頸的核心材料。當(dāng)前，大尺寸金剛石生長(zhǎng)普遍面臨效率低、應(yīng)力高、均勻性差等行業(yè)共性難題。48所依托國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（湖南）平臺(tái)優(yōu)勢(shì)，快速突破高功率高穩(wěn)定微波傳輸與耦合、大尺寸金剛石晶圓生長(zhǎng)與應(yīng)力控制等關(guān)鍵技術(shù)，自主研制出大功率金剛石MPCVD裝備樣機(jī)。目前，該裝備已進(jìn)入用戶應(yīng)用驗(yàn)證階段。
下一步，48所將持續(xù)深化“裝備-材料-器件-應(yīng)用”協(xié)同發(fā)展模式，加快金剛石半導(dǎo)體核心裝備技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，為我國(guó)金剛石半導(dǎo)體未來(lái)產(chǎn)業(yè)筑牢堅(jiān)實(shí)裝備根基。
